by

Unhas Kukuhkan Tiga Professor Baru Fakultas MIPA

Prof Arifin menuturkan, sensor ini memiliki keunggulan dengan kinerja tinggi dengan karakteristik seperti akurasi yang dapat diandalkan, sensitivitas tinggi, mudah dibuat, biaya murah hingga kemampuan pengukuran beberapa parameter secara simultan.

Prinsip dasar sensor berbasis serat optik adalah terjadinya perubahan amplitudo atau intensitas cahaya yang ditransmisikan melalui serta optik ketika terjadi perubahan fisika yang mengakibatkan rugi daya.

“Pengembangan teknologi sensor di Indonesia diharapkan dapat diproduksi dalam negeri. Instrumentasi sensor ini sangat diperlukan untuk berbagai kebutuhan fundamental sehari-hari seperti peralatan rumah tangga, perangkat audio hingga instrumen yang dapat dimanfaatkan dalam bidang struktur, lingkungan, medis dan industri,” jelas Prof Arifin.

Sementara itu, Prof. Dr. Sri Suryani, DEA, melalui pidato pengukuhan mengenai penelitian ilmiah dengan judul ” Mempertautkan Radiasi dan Lingkungan”. Sri menjelaskan, bila radiasi dan lingkungan dipertautkan, maka efek positif dan negatif akan dihadapi.

Efek positif yakni pemanfaatan daya tembus radiasi yang besar, sehingga dapat digunakan untuk mendeteksi kelainan ataupun gangguan pada organ tubuh dalam pada bidang kesehatan dan energinya yang besar dapat dimanfaatkan di industri PLTN, demikian pula pada bidang pengelolaan limbah cair dan desinfeksi udara.

“Disisi lain, efek negatif paparan radiasi dapat menimbulkan sel kanker pada tubuh akibat paparan yang berulang kali terjadi, kecelakaan nuklir, serta limbah bahan radioaktif dari rumah sakit maupun industri perlu diminimalisir melalui pengelolaan misalkan dengan pemanfaatan teknologi dengan dukungan kebijakan pemerintah,” jelas Prof Sri.

Sedangkan Prof. Paulus Lobo Gareso, M.Sc, Ph.D, melalui pidato pengukuhannya tentang “Metode Kuantum Interdifusi Untuk Modifikasi Pita Energi (Band Gap Engineering) Pada Material Semikonduktor” di mana pemanfaatan metode kuantum interdifusi dapat mengubah karakteristik material semikonduktor, seperti pita energi yang mampu berubah setelah terjadi proses interdifusi antar atom-atom pada aktif layer dan daerah penghalang.

Lebih lanjut, Prof Paulus menambahkan, proses tersebut dapat diperlihatkan pada aplikasi divais semikonduktor seperti fabrikasi diode laser InGaAs/A1GaAs yang mengalami perubahan pita energi setelah proses pemanasan yang diiringi terjadinya penurunan arus ambang batas secara signifikan.

News Feed